casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61NLP25636A-200B2LI
Número de pieza del fabricante | IS61NLP25636A-200B2LI |
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Número de parte futuro | FT-IS61NLP25636A-200B2LI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP25636A-200B2LI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 9Mb (256K x 36) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3.1ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3.135V ~ 3.465V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 119-BBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 119-PBGA (14x22) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP25636A-200B2LI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61NLP25636A-200B2LI-FT |
IDT71V3557SA85BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3558S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel