casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61DDB21M36C-300M3
Número de pieza del fabricante | IS61DDB21M36C-300M3 |
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Número de parte futuro | FT-IS61DDB21M36C-300M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61DDB21M36C-300M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 8.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.71V ~ 1.89V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-LFBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61DDB21M36C-300M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61DDB21M36C-300M3-FT |
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-7010BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16BLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV010-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS39LV040-70VCE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel