casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS61DDB21M36-250M3L
Número de pieza del fabricante | IS61DDB21M36-250M3L |
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Número de parte futuro | FT-IS61DDB21M36-250M3L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61DDB21M36-250M3L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frecuencia de reloj | 250MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.71V ~ 1.89V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-LFBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61DDB21M36-250M3L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS61DDB21M36-250M3L-FT |
IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16DBLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16EBLL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-7010BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16ALL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE4M16BLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel