casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS49RL36160-125EBLI
Número de pieza del fabricante | IS49RL36160-125EBLI |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IS49RL36160-125EBLI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS49RL36160-125EBLI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.28V ~ 1.42V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 168-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS49RL36160-125EBLI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS49RL36160-125EBLI-FT |
IDT6116SA20SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel