casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS49RL36160-125EBLI
Número de pieza del fabricante | IS49RL36160-125EBLI |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IS49RL36160-125EBLI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS49RL36160-125EBLI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.28V ~ 1.42V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 168-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS49RL36160-125EBLI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS49RL36160-125EBLI-FT |
IDT6116SA20SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel