casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS49RL36160-107EBL
Número de pieza del fabricante | IS49RL36160-107EBL |
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Número de parte futuro | FT-IS49RL36160-107EBL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS49RL36160-107EBL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 8ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.28V ~ 1.42V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 168-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS49RL36160-107EBL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS49RL36160-107EBL-FT |
IDT6116LA45SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA15SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA15SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel