casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS49RL36160-107EBLI
Número de pieza del fabricante | IS49RL36160-107EBLI |
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Número de parte futuro | FT-IS49RL36160-107EBLI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS49RL36160-107EBLI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 8ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.28V ~ 1.42V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 168-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS49RL36160-107EBLI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS49RL36160-107EBLI-FT |
IDT6116SA15SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA15SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SO8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25SOI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel