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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BI
- Número de pieza de MFG
- IS43R16320E-6BI
- Cantidad disponible
- 25960 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Breve descripción
- - IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Memoria
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- IS43R16320E-6BI.pdf
IS43R16320E-6BI Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | IS43R16320E-6BI |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IS43R16320E-6BI |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| IS43R16320E-6BI Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - DDR |
| Tamaño de la memoria | 512M (32M x 16) |
| Frecuencia de reloj | 166MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
| Tiempo de acceso | 700ps |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 2.3V ~ 2.7V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 60-TFBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 60-TFBGA (13x8) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IS43R16320E-6BI Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IS43R16320E-6BI-FT |
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