casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS43LD32640B-25BPL-TR
Número de pieza del fabricante | IS43LD32640B-25BPL-TR |
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Número de parte futuro | FT-IS43LD32640B-25BPL-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43LD32640B-25BPL-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 168-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 168-VFBGA (12x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43LD32640B-25BPL-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS43LD32640B-25BPL-TR-FT |
MT47H256M8EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-3:G TR
Micron Technology Inc.
AS4C32M16MD1A-5BCN
Alliance Memory, Inc.
MT47H128M4CF-187E:G
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CF-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H128M8CF-187E:H
Micron Technology Inc.
MT47H128M8CF-25:H
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel