casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS43LD32640B-18BPL-TR
Número de pieza del fabricante | IS43LD32640B-18BPL-TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IS43LD32640B-18BPL-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43LD32640B-18BPL-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 168-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 168-VFBGA (12x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43LD32640B-18BPL-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS43LD32640B-18BPL-TR-FT |
MT47H64M16HW-3:H
Micron Technology Inc.
MT47R64M16HR-25:H
Micron Technology Inc.
MT47R64M16HR-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47R64M16HR-3:H
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-3:G TR
Micron Technology Inc.
AS4C32M16MD1A-5BCN
Alliance Memory, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel