casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS43LD32640B-18BLI
Número de pieza del fabricante | IS43LD32640B-18BLI |
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Número de parte futuro | FT-IS43LD32640B-18BLI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43LD32640B-18BLI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-TFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43LD32640B-18BLI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS43LD32640B-18BLI-FT |
IS49NLC18320-25BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS49NLC18320-25BLI
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IS49NLC18320-25EBL
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IS49NLC18320-25EBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS49NLC18320-33B
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS49NLC18320-33BI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS49NLC18320-33BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS49NLC18320-33BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS49NLC36160-25B
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IS49NLC36160-25BI
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