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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBI

Name: IS43DR86400C-3DBI
Brand: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
SKU: IS43DR86400C-3DBI
Availability: InStock
Rating: 4.8 (446 reviews)

Número de pieza de MFG: IS43DR86400C-3DBI

Cantidad disponible: 84050 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Breve descripción: - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IS43DR86400C-3DBI.pdf

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Número de pieza del fabricante	IS43DR86400C-3DBI
Número de parte futuro	FT-IS43DR86400C-3DBI
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IS43DR86400C-3DBI Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria	512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj	333MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	15ns
Tiempo de acceso	450ps
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	60-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor	60-TWBGA (8x10.5)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IS43DR86400C-3DBI Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IS43DR86400C-3DBI-FT

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