casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS43DR16640B-25EBL
Número de pieza del fabricante | IS43DR16640B-25EBL |
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Número de parte futuro | FT-IS43DR16640B-25EBL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43DR16640B-25EBL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 450ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-TWBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR16640B-25EBL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS43DR16640B-25EBL-FT |
EMFM432A1PH-DV-F-D
Micron Technology Inc.
EMFM432A1PH-DV-F-R TR
Micron Technology Inc.
EMFP112A3PB-DV-F-R TR
Micron Technology Inc.
F320BJHEPTTL60
Sharp Microelectronics
F320BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
F800BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
FM27C256Q120
ON Semiconductor
FM27C256Q150
ON Semiconductor
FM27C256QE150
ON Semiconductor
FM27C256V120
ON Semiconductor
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel