casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS43DR16160B-3DBI
Número de pieza del fabricante | IS43DR16160B-3DBI |
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Número de parte futuro | FT-IS43DR16160B-3DBI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43DR16160B-3DBI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 450ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-TWBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR16160B-3DBI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS43DR16160B-3DBI-FT |
EMFA232A2PF-DV-F-R TR
Micron Technology Inc.
EMFB232A1MA-DV-F-D
Micron Technology Inc.
EMFM432A1PH-DV-F-D
Micron Technology Inc.
EMFM432A1PH-DV-F-R TR
Micron Technology Inc.
EMFP112A3PB-DV-F-R TR
Micron Technology Inc.
F320BJHEPTTL60
Sharp Microelectronics
F320BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
F800BJHEPTTL90
Sharp Microelectronics
FM27C256Q120
ON Semiconductor
FM27C256Q150
ON Semiconductor
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel