casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IS29GL512S-11DHV020
Número de pieza del fabricante | IS29GL512S-11DHV020 |
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Número de parte futuro | FT-IS29GL512S-11DHV020 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GL-S |
IS29GL512S-11DHV020 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 110ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (9x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS29GL512S-11DHV020 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IS29GL512S-11DHV020-FT |
S29GL01GT11FHIV40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHV010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT11FHV020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT12DHN013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT12DHN020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT12DHN023
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S29GL01GT12DHVV13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T11DHIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T11DHIV23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T11DHV010
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