casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLZ44STRRPBF
Número de pieza del fabricante | IRLZ44STRRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRLZ44STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLZ44STRRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 31A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLZ44STRRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLZ44STRRPBF-FT |
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M1A3P600-1FGG484
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Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
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LFEC10E-4QN208I
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EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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