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Infineon Technologies IRLU3636PBF

Número de pieza de MFG
IRLU3636PBF
Cantidad disponible
79280 Piezas
Precio de referencia
USD 0.733592
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLU3636PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3779pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLU3636PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRLU3636PBF-FT

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