casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLS4030-7PPBF
Número de pieza del fabricante | IRLS4030-7PPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRLS4030-7PPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLS4030-7PPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 190A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 110A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11490pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 370W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK (7-Lead) |
Paquete / Caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLS4030-7PPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLS4030-7PPBF-FT |
PMN80XP,115
Nexperia USA Inc.
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