casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLS3036-7PPBF
Número de pieza del fabricante | IRLS3036-7PPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRLS3036-7PPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLS3036-7PPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 240A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 180A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11270pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 380W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK (7-Lead) |
Paquete / Caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLS3036-7PPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLS3036-7PPBF-FT |
PMN70XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPX
Nexperia USA Inc.
PMN80XP,115
Nexperia USA Inc.
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2SJ0674G0L
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XC3S50A-4TQ144I
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M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
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5CGXFC9C6F23I7N
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EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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