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Infineon Technologies IRLR3110ZTRRPBF

Name: IRLR3110ZTRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3110ZTRRPBF
Price: 0.64636 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (744 reviews)

Número de pieza de MFG: IRLR3110ZTRRPBF

Cantidad disponible: 85810 Piezas

Precio de referencia: USD 0.64636

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRLR3110ZTRRPBF.pdf

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IRLR3110ZTRRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRLR3110ZTRRPBF
Número de parte futuro	FT-IRLR3110ZTRRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLR3110ZTRRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	42A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3980pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR3110ZTRRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRLR3110ZTRRPBF-FT

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