casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLML6402TR
Número de pieza del fabricante | IRLML6402TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRLML6402TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLML6402TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 633pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Micro3™/SOT-23 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLML6402TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLML6402TR-FT |
IXTQ160N085T
IXYS
IXTQ160N10T
IXYS
IXTQ16N50P
IXYS
IXTQ180N055T
IXYS
IXTQ180N085T
IXYS
IXTQ182N055T
IXYS
IXTQ200N06P
IXYS
IXTQ200N075T
IXYS
IXTQ200N085T
IXYS
IXTQ220N055T
IXYS
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation