casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLL110PBF
Número de pieza del fabricante | IRLL110PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRLL110PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLL110PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLL110PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLL110PBF-FT |
NDT452AP
ON Semiconductor
IRLL014TRPBF
Vishay Siliconix
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STN1HNK60
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Xilinx Inc.
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EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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