casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLI640GPBF
Número de pieza del fabricante | IRLI640GPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRLI640GPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRLI640GPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.9A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 40W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLI640GPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLI640GPBF-FT |
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
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TK100S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel