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Infineon Technologies IRLHM620TR2PBF

Número de pieza de MFG
IRLHM620TR2PBF
Cantidad disponible
26650 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLHM620TR2PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 26A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3620pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PQFN (3x3)
Paquete / Caja 8-VQFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLHM620TR2PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRLHM620TR2PBF-FT

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