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Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP

Name: IRLBD59N04ETRLP
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLBD59N04ETRLP
Availability: InStock
Rating: 4.9 (112 reviews)

Número de pieza de MFG: IRLBD59N04ETRLP

Cantidad disponible: 29170 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRLBD59N04ETRLP.pdf

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Número de pieza del fabricante	IRLBD59N04ETRLP
Número de parte futuro	FT-IRLBD59N04ETRLP
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRLBD59N04ETRLP Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	59A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 5V
Vgs (Max)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2190pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263-5
Paquete / Caja	TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLBD59N04ETRLP Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRLBD59N04ETRLP-FT

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