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Infineon Technologies IRL80HS120

Name: IRL80HS120
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL80HS120
Price: 0.36884 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (555 reviews)

Número de pieza de MFG: IRL80HS120

Cantidad disponible: 89440 Piezas

Precio de referencia: USD 0.36884

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: - MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRL80HS120.pdf

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IRL80HS120 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRL80HS120
Número de parte futuro	FT-IRL80HS120
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IRL80HS120 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	540pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	11.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-PQFN (2x2)
Paquete / Caja	6-VDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL80HS120 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRL80HS120-FT

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