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Infineon Technologies IRL6372PBF

Name: IRL6372PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL6372PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (283 reviews)

Número de pieza de MFG: IRL6372PBF

Cantidad disponible: 34510 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRL6372PBF.pdf

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IRL6372PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRL6372PBF
Número de parte futuro	FT-IRL6372PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRL6372PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1020pF @ 25V
Potencia - max	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL6372PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRL6372PBF-FT

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