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Infineon Technologies IRL6283MTRPBF

Número de pieza de MFG
IRL6283MTRPBF
Cantidad disponible
56410 Piezas
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®, StrongIRFET™
IRL6283MTRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 38A (Ta), 211A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.75 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 158nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8292pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET™ MD
Paquete / Caja DirectFET™ Isometric MD
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL6283MTRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRL6283MTRPBF-FT

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