casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRL60S216
Número de pieza del fabricante | IRL60S216 |
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Número de parte futuro | FT-IRL60S216 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRL60S216 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 195A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 15330pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 375W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL60S216 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRL60S216-FT |
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
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A42MX24-1TQG176
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