casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRL540NSTRRPBF
Número de pieza del fabricante | IRL540NSTRRPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRL540NSTRRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRL540NSTRRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 36A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL540NSTRRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRL540NSTRRPBF-FT |
IRL3103D1STRL
Infineon Technologies
IRL3103D1STRLP
Infineon Technologies
IRL3103D2S
Infineon Technologies
IRL3103D2STRL
Infineon Technologies
IRL3103S
Infineon Technologies
IRL3103SPBF
Infineon Technologies
IRL3103STRL
Infineon Technologies
IRL3103STRLPBF
Infineon Technologies
IRL3103STRR
Infineon Technologies
IRL3103STRRPBF
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel