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Infineon Technologies IRL530NSTRRPBF

Name: IRL530NSTRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL530NSTRRPBF
Price: 0.496672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (809 reviews)

Número de pieza de MFG: IRL530NSTRRPBF

Cantidad disponible: 77910 Piezas

Precio de referencia: USD 0.496672

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRL530NSTRRPBF.pdf

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IRL530NSTRRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRL530NSTRRPBF
Número de parte futuro	FT-IRL530NSTRRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRL530NSTRRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	800pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.8W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL530NSTRRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRL530NSTRRPBF-FT

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