casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRL2910L
Número de pieza del fabricante | IRL2910L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRL2910L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRL2910L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 55A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3700pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL2910L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRL2910L-FT |
IRF3805LPBF
Infineon Technologies
IRF3808LPBF
Infineon Technologies
IRF4104L
Infineon Technologies
IRF4104LPBF
Infineon Technologies
IRF520NL
Infineon Technologies
IRF520NLPBF
Infineon Technologies
IRF5210L
Infineon Technologies
IRF5305L
Infineon Technologies
IRF5305LPBF
Infineon Technologies
IRF530NL
Infineon Technologies
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel