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Infineon Technologies IRL2203NLPBF

Número de pieza de MFG
IRL2203NLPBF
Cantidad disponible
55110 Piezas
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRL2203NLPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 116A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3290pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL2203NLPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRL2203NLPBF-FT

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