casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFZ48ZL
Número de pieza del fabricante | IRFZ48ZL |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFZ48ZL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFZ48ZL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 61A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1720pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 91W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFZ48ZL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFZ48ZL-FT |
IRF3709LPBF
Infineon Technologies
IRF3709ZCL
Infineon Technologies
IRF3709ZCLPBF
Infineon Technologies
IRF3709ZL
Infineon Technologies
IRF3709ZLPBF
Infineon Technologies
IRF3710L
Infineon Technologies
IRF3710LPBF
Infineon Technologies
IRF3711L
Infineon Technologies
IRF3711LPBF
Infineon Technologies
IRF3711ZCL
Infineon Technologies
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel