casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFSL23N20D102P
Número de pieza del fabricante | IRFSL23N20D102P |
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Número de parte futuro | FT-IRFSL23N20D102P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFSL23N20D102P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1960pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFSL23N20D102P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFSL23N20D102P-FT |
IPI80N08S406AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P03P405AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P04P405AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P04P407AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P04P4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P04P4L06AKSA1
Infineon Technologies
IPI80P04P4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPI90N06S4L04AKSA2
Infineon Technologies
IPI90R800C3
Infineon Technologies
IRF1010EL
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel