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Infineon Technologies IRFS7730PBF

Name: IRFS7730PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS7730PBF
Price: 4.112 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (77 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFS7730PBF

Cantidad disponible: 96070 Piezas

Precio de referencia: USD 4.112

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFS7730PBF.pdf

IRFS7730PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFS7730PBF
Número de parte futuro	FT-IRFS7730PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRFS7730PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	195A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	407nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	13660pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFS7730PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFS7730PBF-FT

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