casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFS4610PBF
Número de pieza del fabricante | IRFS4610PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFS4610PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS4610PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 73A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3550pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 190W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS4610PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFS4610PBF-FT |
IRF6215SPBF
Infineon Technologies
IRF6215STRR
Infineon Technologies
IRF6215STRRPBF
Infineon Technologies
IRF6218SPBF
Infineon Technologies
IRF6218STRLPBF
Infineon Technologies
IRF630NS
Infineon Technologies
IRF630NSPBF
Infineon Technologies
IRF630NSTRR
Infineon Technologies
IRF630NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF640NSPBF
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel