casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFS4510PBF
Número de pieza del fabricante | IRFS4510PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFS4510PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS4510PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 61A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3180pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 140W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS4510PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFS4510PBF-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
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5SGXEA5K3F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
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LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
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