casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFS4010PBF
Número de pieza del fabricante | IRFS4010PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFS4010PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS4010PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 106A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9575pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 375W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS4010PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFS4010PBF-FT |
IRF4905STRR
Infineon Technologies
IRF4905STRRPBF
Infineon Technologies
IRF520NS
Infineon Technologies
IRF520NSPBF
Infineon Technologies
IRF520NSTRL
Infineon Technologies
IRF520NSTRR
Infineon Technologies
IRF520NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF5210SPBF
Infineon Technologies
IRF5210STRLPBF
Infineon Technologies
IRF5210STRR
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel