casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFS3206PBF
Número de pieza del fabricante | IRFS3206PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFS3206PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS3206PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6540pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS3206PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFS3206PBF-FT |
IRF3711STRR
Infineon Technologies
IRF3711STRRPBF
Infineon Technologies
IRF3711ZCS
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRL
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRLP
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRR
Infineon Technologies
IRF3711ZCSTRRP
Infineon Technologies
IRF3711ZS
Infineon Technologies
IRF3711ZSPBF
Infineon Technologies
IRF3711ZSTRL
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel