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Infineon Technologies IRFR812PBF

Name: IRFR812PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR812PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (266 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFR812PBF

Cantidad disponible: 11100 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFR812PBF.pdf

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IRFR812PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFR812PBF
Número de parte futuro	FT-IRFR812PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFR812PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	810pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFR812PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFR812PBF-FT

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