casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR120_R4941
Número de pieza del fabricante | IRFR120_R4941 |
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Número de parte futuro | FT-IRFR120_R4941 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFR120_R4941 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 5.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR120_R4941 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFR120_R4941-FT |
GP1M005A040CG
Global Power Technologies Group
GP1M005A050CH
Global Power Technologies Group
GP1M006A065CH
Global Power Technologies Group
GP1M007A065CG
Global Power Technologies Group
GP1M008A025CG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050CG
Global Power Technologies Group
GP1M009A020CG
Global Power Technologies Group
GP1M016A025CG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020CG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060CG
Global Power Technologies Group
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel