casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFP4332-203PBF
Número de pieza del fabricante | IRFP4332-203PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFP4332-203PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFP4332-203PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 57A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5860pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP4332-203PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFP4332-203PBF-FT |
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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