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ON Semiconductor IRFN214BTA_FP001

Name: IRFN214BTA_FP001
Brand: ON Semiconductor
SKU: IRFN214BTA_FP001
Availability: InStock
Rating: 4.8 (149 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFN214BTA_FP001

Cantidad disponible: 12020 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFN214BTA_FP001.pdf

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Número de pieza del fabricante	IRFN214BTA_FP001
Número de parte futuro	FT-IRFN214BTA_FP001
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IRFN214BTA_FP001 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	600mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	275pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / Caja	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFN214BTA_FP001 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFN214BTA_FP001-FT

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