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Infineon Technologies IRFHS9301TRPBF

Número de pieza de MFG
IRFHS9301TRPBF
Cantidad disponible
88320 Piezas
Precio de referencia
USD 0.2142
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRFHS9301TRPBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFHS9301TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Ta), 13A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 580pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-PQFN (2x2)
Paquete / Caja 6-PowerVDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHS9301TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFHS9301TRPBF-FT

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