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Infineon Technologies IRFHM830TRPBF

Número de pieza de MFG
IRFHM830TRPBF
Cantidad disponible
33810 Piezas
Precio de referencia
USD 0.316728
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRFHM830TRPBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFHM830TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2155pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PQFN (3x3)
Paquete / Caja 8-VQFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM830TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFHM830TRPBF-FT

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