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Infineon Technologies IRFHM830DTR2PBF

Name: IRFHM830DTR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM830DTR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (250 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFHM830DTR2PBF

Cantidad disponible: 19370 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFHM830DTR2PBF.pdf

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IRFHM830DTR2PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFHM830DTR2PBF
Número de parte futuro	FT-IRFHM830DTR2PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHM830DTR2PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1797pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.8W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PQFN (3x3)
Paquete / Caja	8-VQFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM830DTR2PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFHM830DTR2PBF-FT

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