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Infineon Technologies IRFHM8235TRPBF

Número de pieza de MFG
IRFHM8235TRPBF
Cantidad disponible
54830 Piezas
Precio de referencia
USD 0.249904
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRFHM8235TRPBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFHM8235TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 16A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1040pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8235TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFHM8235TRPBF-FT

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