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Infineon Technologies IRFHM4234TRPBF

Name: IRFHM4234TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM4234TRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (282 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFHM4234TRPBF

Cantidad disponible: 62510 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: FASTIRFET™, HEXFET® MOSFET N-CH 25V 20A PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFHM4234TRPBF.pdf

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IRFHM4234TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFHM4234TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRFHM4234TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	FASTIRFET™, HEXFET®
IRFHM4234TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1011pF @ 13V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.8W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	-
Paquete / Caja	8-TQFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM4234TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFHM4234TRPBF-FT

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