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Infineon Technologies IRFHM3911TRPBF

Name: IRFHM3911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM3911TRPBF
Price: 0.282032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (250 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFHM3911TRPBF

Cantidad disponible: 54020 Piezas

Precio de referencia: USD 0.282032

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFHM3911TRPBF.pdf

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IRFHM3911TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFHM3911TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRFHM3911TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHM3911TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.2A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	760pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.8W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (3x3)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM3911TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFHM3911TRPBF-FT

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