casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFH7188TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRFH7188TRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFH7188TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FASTIRFET™, HEXFET® |
IRFH7188TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Ta), 105A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 150µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2116pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 132W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH7188TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFH7188TRPBF-FT |
BSC0904NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1
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BSC090N03MSGATMA1
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BSC097N06NSTATMA1
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BSC098N10NS5ATMA1
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BSC100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
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XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
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M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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EP20K100EBI356-2X
Intel